국립부경대학교 디스플레이반도체공학전공

한양대학교 전자전기공학부 학사

한양대학교 전자전기제어계측공학부 석사 

한양대학교 전자전기제어계측공학부 박사

한양대학교 전자통신공학부, 박사 후 연구원 

Meijo University (Nagoya, Japan), Faculty of Science and Technology, Post-doctoral researcher

Nagoya University (Nagoya, Japan), Akasaki research center, Research fellow

한양대학교 나노광전자 공학부, 연구교수

GaN/SiC 반도체 

와이드밴드갭 광반도체

와이드밴드갭 전력반도체

등록된 내용이 없습니다.

Selected papers

Dong-Pyo Han*, Jiwon Kim, Dong-Soo Shin, and Jong-In Shim, “Native defect clustering-induced carrier localization centers leading to a reduction of performance in Ga_0.70In_0.30N/GaN quantum wells,” Optics Express, vol. 31(10), 15779？ 15790, (2023).

Dong-Pyo Han*, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, and Satoshi Kamiyama, “Pre-trimethylindium Flow Treatment of GaInN/GaN Quantum Wells to Suppress Surface Defect Incorporation and Improve Efficiency,” ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 14, 26264？26270, (2022).

Ryo Takahashi, Ryoto Fujiki, Keisuke Hozo, Ryoya Hiramatsu, Makoto Matsukura, Takahiro Kojima, Dong-Pyo Han,* Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, and Satoshi Kamiyama, “Improvement of 650-nm red-emitting GaIn_0.17N/GaIn_0.38N multiple quantum wells on ScAlMgO₄ (0001) substrate by suppressing impurity diffusion/penetration,” Applied Physics Letters, vol. 120, No. 14, 142102, (2022).

Dong-Pyo Han*, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki, “Space-charge effect on photogenerated-current and -voltage in III-nitride optoelectronic semiconductors,” Photonic research vol. 9, No. 9, 1820, (2021).

Dong-Pyo Han*, Ryoto Fujiki, Ryo Takahashi, Yusuke Ueshima, Shintaro Ueda, Weifang Lu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki, “n-type GaN surface etched green lightemitting diode to reduce non-radiative recombination centers,” Applied Physics Letters, vol. 118, no. 2, p. 021102, (2021).

등록된 내용이 없습니다.